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摘要
PdSe2薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得,本研究采用一种简单有效的可在SiO2/Si衬底上制备PdSe2薄膜的方法。通过高真空磁控溅射技术在SiO2/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜,将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在一定的温度下进行硒化,获得PdSe2薄膜。根据截面高分辨透射电镜(HRTEM)照片可知PdSe2薄膜的平均厚度约为30 nm。进一步研究硒化温度对PdSe2薄膜电输运性能的影响,当硒化温度为300℃时,所制得的PdSe2薄膜的体空穴浓度约为1×1018cm–3,具有最大的室温迁移率和室温磁阻,分别为48.5cm2·V–1·s–1和12%(B=9T)。值得注意的是,本实验中通过真空硒化法获得的薄膜空穴迁移率大于通过机械剥离法制得的p型PdSe2薄膜。随着硒化温度从300℃逐渐升高,由于Se元素容易挥发, Pd薄膜的硒化程度逐渐减小,导致薄膜硒含量、迁移率和磁电阻降低。本研究表明:真空硒化法是一种简单有效地制备PdSe2薄膜的方法,在贵金属硫族化合物的大面积制备及多功能电子器件的设计中具有潜在的应用价值。
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