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摘要
本发明公开了一种具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法,所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层等结构,所述器件还包括一Г型栅电极,所述Г型栅电极包括栅帽和栅脚,栅脚的一端和栅帽的部分下表面连接,另一端和第二开口处部分暴露的栅介质层上表面连接,栅帽的其余下表面和钝化层上表面连接。本发明利用G线、I线光刻包括接触式光刻和步进式光刻与金属剥离工艺或金属刻蚀工艺结合,通过在钝化层开口处通过对准的方式,使一部分的栅极金属与栅介质层接触,另一部分与钝化层接触,使栅足线宽在光刻的极限线宽下大大减小；所述Г栅结构,引入了场板,场板调制了栅靠漏侧导电沟道的电场强度分布,提高了器件的击穿电压。
- 单位
