低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究

作者：李金友; 王海龙^*; 杨锦; 曹春芳; 赵旭熠; 龚谦

来源：通信技术, 2020, 53(06): 1336-1340.

• 分子束外延
• 量子阱
• GaSb基
• 电学特性
• 功耗
• 光谱

研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电流的增加发生红移,在8～10 mA内的光谱漂移为0.39 nm/mA,在10～20 mA内为0.02 nm/mA。在15～65 K范围内光谱随着注入温度的增加发生红移,光谱红移速度为0.316 nm/K。研究结果对GaSb基量子阱激光器的进一步应用具有重要意义。

• 单位
  曲阜师范大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室