双源气相沉积法制备Si/CsPbBr<sub>3</sub>光电探测器

吴成云; 程晨; 刘雨杭; 张彦

doi:10.13250/j.cnki.wndz.2023.09.006

摘要

全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜具有优异的光电特性，探索其新的制备工艺并与Si集成实现良好的光电探测具有重要意义。通过双源气相沉积在Si衬底上制备了CsPbBr3薄膜，并研究了CsPbBr3薄膜的光学吸收、物相组成、形貌结构等性质，在此基础上构建了Si/CsPbBr3异质结光电探测器，并对器件性能进行了表征。得益于气相法沉积的高质量CsPbBr3薄膜，以及Si和CsPbBr3对光的协同吸收，Si/CsPbBr3异质结光电探测器能够实现300～1 100 nm的宽光谱范围探测，并表现出了良好的光电响应。在532 nm光照下，器件的响应度和比探测率分别为24.85 mA/W和1.01×1011 Jones。此外，器件的响应时间为260/211μs,能实现快速的光响应。这项工作为硅基钙钛矿光电器件的制备与应用提供了新的机会。

单位
合肥工业大学

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更新时间：2024-10-24 20:38

双源气相沉积法制备Si/CsPbBr₃光电探测器

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