具有Al组分V型渐变电子阻挡层的深紫外LED设计与分析

作者：赵志斌^*; 曲轶; 陈浩; 乔忠良; 李林; 李再金; 刘**

来源：光电子技术, 2021, 41(02): 99-103.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2021.02.004

• 深紫外发光二极管
• Al组分V型渐变P型电子阻挡层
• 极化体电荷
• 电子泄漏
• 效率降低

为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管(DUV LED)的内量子效率(IQE)随驱动电流的增大而降低的幅度减小,有助于DUV LED在一个较大的驱动电流区间可以稳定地工作,提出并研究具有Al组分V型渐变P型电子阻挡层(P-EBL)结构的DUV LED。通过Crosslight APSYS软件对常规P型电子阻挡层(P-EBL)和Al组分V型渐变P-EBL结构DUV LED的能带、极化体电荷、电子电流、空穴浓度、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱进行了数值研究。结果表明,在260 mA电流注入时,相比常规P-EBL结构,Al组分V型渐变P-EBL结构DUV LED的效率降低的幅度减小了5.86%,改善了DUV LED输出性能。根据数值模拟和分析,器件输出性能改善的原因是Al组分三角形渐变P-EBL沿生长方向产生的极化体电荷,抵消P-EBL与最后一个量子垒层异质结界面处存在的极化面电荷,从而减小了界面处的极化电场。

• 单位
  电子工程学院; 海南师范大学