利用四甲氧基硅烷（TMOS）易水解形成低聚二氧化硅（OS）的特性，结合双钙钛矿Cs2AgBiBr6与有机半导体材料IDTBT优异的光电特性，通过调整低聚二氧化硅的厚度来实现对有机薄膜晶体管（OTFT）突触性能的调控。模拟了突触的兴奋性后突触电流（EPSC）、双脉冲易化（PPF）等基本功能，并进一步实现突触晶体管加速学习功能。研究有望为搭建低能耗的人工神经网络提供一种有效的方案。
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