基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析

作者：邸明东; 周骏; 孙铁囤; 孙永堂

来源：太阳能学报, 2010, 31(10): 1343-1348.

• a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池
• 微晶硅
• 背面场
• AFORS_HET a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells
• microcrystalline silicon
• back surface filed
• AFORS_HET

针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。

• 单位
  宁波大学; 常州亿晶光电科技有限公司; 江苏大学