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摘要
一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法,包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术,在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热,使TiO2浆料中的有机溶剂挥发,得到TiO2纳米晶多孔膜,有利于染料的吸附；步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3,有利于ZnO纳米线的外延生长；步骤5：采用水热化学反应法,在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列,有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离,完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。
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