在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究

作者：张冲; 叶辉; 张磊; 皇甫幼睿; 刘旭

来源：Acta Physica Sinica, 2009, 58(11): 7765-7772.

• 硅锗外延生长
• 反射式高能电子衍射
• 表面重构
• 透射式衍射花样

在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释.解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件.

• 单位
  浙江大学; 现代光学仪器国家重点实验室