高结晶度g-C_(3)N_(4)在光催化领域的研究进展

作者：徐杨; 刘成宝^*; 郑磊之; 陈丰; 钱君超; 邱永斌; 孟宪荣; 陈志刚

来源：材料导报, 2023, 1-20.

• 半导体光催化技术
• 石墨相氮化碳
• 高结晶度

石墨相氮化碳(g-C3N4)作为具有典型二维层状结构和窄带隙的聚合物半导体，表现出优异的可见光吸收能力、稳定的物理化学性能和优秀的光催化活性。但由于传统含氮前驱体热诱导聚合产生的g-C3N4结构不完全，主体是非晶或半晶质结构的melon基氮化碳，其体相和表面存在较多缺陷，导致电导率低、限制光激发电荷的分离以及较高的电子-空穴对重组率等缺点，大幅降低了其催化活性，因此提高g-C3N4的结晶度是非常有必要的。本文主要总结了高结晶度氮化碳(CCN)的优势和近年来研究进展，提高g-C3N4的结晶度能在共轭平面之间建立电荷转移通道从而提高层内电荷转移效率，并且高结晶度可以与其他改性手段糅合以实现高效的协同效应，同时通过介绍CCN的结构、表征、制备方法、改性策略和应用领域对CCN近年来研究进展进行总结。最后，简要总结了CCN光催化材料面临的挑战和本领域未来的发展方向。

• 单位
  江苏省环境功能材料重点实验室; 江苏省陶瓷研究所有限公司; 苏州科技大学