等离子体加热单晶体生长室内温度分布的数值模拟

作者：毕孝国; 宋宜璇; 郑道平

来源：沈阳工程学院学报(自然科学版), 2021, 17(01): 76-79.

DOI：10.13888/j.cnki.jsie(ns).2021.01.015

• 等离子体
• 生长室
• 温度分布
• 数值模拟

建立等离子加热条件下单晶体生长环境的物理模型,划分网格,并对温度和速度的分布数值进行计算与分析,研究初始条件和边界条件的影响规律,进而获得单晶体生长的最佳参数和晶体生长炉的设计数据。结果表明:中心轴向温度在距离喷嘴入口65 mm左右处达到适合钛酸锶晶体生长熔点,确定了晶体在生长炉内的合理位置。

• 单位
  沈阳工程学院