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摘要
绝缘体上硅（SOI）工艺具有隔离面积小、隔离性能良好等特点，在功率半导体领域已被广泛采用。基于深亚微米SOI工艺技术节点和100 V以上高压器件的特性，高压静电放电（ESD）器件稳健性弱的问题已成为ESD防护设计的技术难点之一，高压ESD防护器件的选择和设计显得尤为重要。为了提升SOI工艺高压ESD器件的稳健性，结合静电放电时器件的特性和工作性能，对ESD防护器件进行了选择，设计了合适的器件尺寸，获得了良好的ESD能力。运用了该设计的一款驱动MOSFET的控制器电路，通过了4 000 V人体模型（HBM）的ESD测试，该设计在SOI工艺高压ESD器件防护稳健性的问题上取得了良好的效果。
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单位中国电子科技集团公司第五十八研究所
