SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究

作者：齐超; 林东生; 陈伟; 杨善潮; 王桂珍; 龚建成; 马强

来源：原子能科学技术, 2013, (01): 157-160.

• 瞬时电离辐射
• 功能错误
• 敏感配置位 transient ionizing radiation
• function error
• sensitive configuration bit

定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论。

• 单位
  西北核技术研究所