碲铟汞晶体的生长研究

作者：王领航; 董阳春; 介万奇

来源：人工晶体学报, 2007, (02): 253-255.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.02.002

• HgInTe
• 晶体生长
• 垂直布里奇曼法
• 光电半导体材料
• 近红外探测器 HgInTe
• crystal growth
• vertical Bridgman method
• photovoitaic semiconductors
• near infrared receiver(NIR)

以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学