苏州维特莱恩公司高品质6英寸电阻法碳化硅单晶研制成功

作者：刘春艳; 张明福

来源：人工晶体学报, 2019, 48(09): 1768.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.09.032

<正>碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性和抗辐射等突出的特性与优势,决定了其在高功率器件、高频器件、高光效发光器件等领域的应用极为广泛。碳化硅单晶在低压/高频、中电压和高压/高频多个领域具有完全替代硅材料的优势。受各种因素影响,国内碳化硅单晶品质和产