溶剂热条件下单质直接反应合成GaP纳米晶

作者：信春雨; 刘振刚; 于美燕; 李凯; 盖利刚; 王琪珑

来源：微纳电子技术, 2004, (07): 20-22.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2004.07.004

• GaP纳米晶
• 溶剂热合成
• 微观形貌 GaP nanocrystals
• solvothermal synthesis
• morphology

在苯热条件下,以金属镓和白磷为原料直接反应合成了GaP纳米晶,并研究了反应温度对GaP纳米晶物相的影响。微观形貌观测结果则表明,在400℃合成的GaP纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少。当温度为300℃时,GaP纳米晶的结晶质量较差,而当温度升高到500℃时,GaP纳米晶的结晶完整性得到改善,但是颗粒团聚现象变得比较严重。

• 单位
  化学与化工学院; 晶体材料国家重点实验室; 山东大学