SiC光触发晶闸管的发展与挑战

作者：王曦; 蒲红斌^*; 封先锋; 胡继超; **; 杨勇; 谌娟

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(03): 171-181.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2021.03.003

• 光触发晶闸管
• 碳化硅
• 发展
• 挑战

SiC光触发晶闸管不仅具备传统SiC晶闸管超高耐压、超大通流能力的特点,还在简化驱动电路、提高系统抗电磁干扰能力方面具备独有优势。概述了SiC光触发晶闸管的发展历程,介绍了SiC LTT紫外发光二极管(UV LED)触发、SiC LTT放大门极以及全光控SiC LTT等重要技术,讨论了SiC LTT仍面临的低触发光强与快开通速度难以兼顾的技术挑战,分析了放大门极结构在低光强触发模式下改善SiC LTT性能的局限性。最后,探讨了低光强触发模式下SiC LTT难以快速开通这一瓶颈问题的物理机制与改善方向。

• 单位
  西安理工大学