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摘要
本文利用球差校正透射电子显微术与第一性原理理论计算相结合的方法研究了形成于Sr5Nb5O17薄膜中的半个单胞Sr2Nb2O7和形成于Sr2Nb2O7薄膜中的半个单胞Sr5Nb5O17的原子与电子结构,分析了两种情况下Sr5Nb5O17准一维导电性与Sr2Nb2O7铁电性之间的相互作用。研究结果表明通过调整层状钙钛矿的堆垛方式可以在纳米级尺度上调控SrnNbnO3n+2薄膜的电学性质。
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本文利用球差校正透射电子显微术与第一性原理理论计算相结合的方法研究了形成于Sr5Nb5O17薄膜中的半个单胞Sr2Nb2O7和形成于Sr2Nb2O7薄膜中的半个单胞Sr5Nb5O17的原子与电子结构,分析了两种情况下Sr5Nb5O17准一维导电性与Sr2Nb2O7铁电性之间的相互作用。研究结果表明通过调整层状钙钛矿的堆垛方式可以在纳米级尺度上调控SrnNbnO3n+2薄膜的电学性质。
