等离子活化烧结制备SiC/h-BN复相陶瓷

作者：李红伟; 张琴; 金志浩; 王继平

来源：硅酸盐学报, 2009, (11): 1808-1812.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2009.11.013

• 等离子活化烧结
• 热压烧结
• 碳化硅
• 氮化硼
• 弱界面 plasma activated sintering
• hot-pressing sintering
• silicon carbide
• boron nitride
• weak interface

采用等离子活化烧结(plasma activated sintering,PAS)制备SiC/20%(体积分数)h-BN复相陶瓷,研究了烧结工艺对复相陶瓷密度、抗弯强度、硬度,以及显微结构的影响,并对比分析了PAS与热压(hot-pressing,HP)烧结工艺不同烧结机理。结果表明:在1600℃保温3min PAS烧结与在1850℃保温1h HP烧结制备出的SiC/20% h-BN复相陶瓷具有相近的性能和微观结构,PAS烧结效率远高于HP。当引入20%微米级h-BN在烧结过程中抑制SiC晶粒长大,PAS快速烧结细化晶粒的效应在烧结SiC/20% h-BN复相陶瓷时被抑制。

• 单位
  西安交通大学; 金属材料强度国家重点实验室