高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT

作者：荆斌; 徐萌; 彭聪; 陈龙龙; 张建华; 李喜峰^*

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 71(13): 410-417.

• 溶液法
• TFT像素阵列
• N2O等离子处理
• 光照负偏压稳定性

采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide, IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide, HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched, BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor, TFT)像素阵列.利用N2O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N2O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm2·V–1·s–1.特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N2O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.

• 单位
  新型显示技术及应用集成教育部重点实验室; 上海大学