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摘要
二硒化钨（WSe2）是一种具有较高带隙的半导体材料，其结构类似于石墨烯，具有优异的光电特性，在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法（CVD）实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制备，利用XPS、AFM、Raman对薄膜进行了表征，探究了基片到钨源的距离和生长温度对样品的形貌、尺寸及形核密度的影响。从晶体生长学的角度，用不同n（W）:n（Se）(■0.5,>0.5,=0.5)生长模型解释了不同形貌WSe2薄膜的生长机制，为可调控二维半导体单层薄膜制备工艺的优化提供了参考。
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