摘要
利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结.实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO:Na异质结的整流特性最佳.此时,Si/NiO:Na异质结光学透过率可以达到70%,这可能是由于Si/NiO:Na异质结的结晶质量较优、薄膜内缺陷少所致.Si/NiO:Na异质结Ⅰ-Ⅴ曲线的拟合结果显示界面态状态也会影响其整流特性.而Si/NiO和Si/NiO:Cu异质结都没能获得较好的整流特性,可能是薄膜内缺陷增多所致.这一结论得到了XRD、SEM、AFM和UV结果的支持.
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单位电子工程学院; 天津职业技术师范大学