3.110.6 GHz低功耗超宽带低噪声放大器

作者：赵飞义; 张万荣; 丁春宝; 陈昌麟; 胡瑞心; 卓汇涵; 江之韵; 白杨; 陈亮

来源：微电子学, 2014, 44(06): 737-745.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2014.06.008

• 低噪声放大器
• 低功耗
• 跨导增强
• 电流复用

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.110.6GHz频段的超宽带低噪声放大器。该放大器分为两级:采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配。仿真结果表明,在3.110.6GHz频带范围内,放大器增益为14.8dB,增益平坦度为!0.6dB,噪声系数介于2.94.5dB,输入和输出的回波损耗均优于-11dB,1dB压缩点为-20.8dBm,在1.8V电压下,静态功耗仅为8.99mW。

• 单位
  电子工程学院; 泰山学院; 北京工业大学