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摘要
随着碳化硅单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,碳化硅肖特基二极管器件制造工艺中的刻蚀技术日趋重要。针对碳化硅和工艺中金属场版的刻蚀进行工艺试验与分析,验证等离子体刻蚀和反应离子刻蚀这两种常用干法刻蚀在碳化硅刻蚀工艺中的表现。实验中多次调节反应条件,包括刻蚀气体、射频功率、气体流量、反应室压力等,最终达到理想的碳化硅界面。采用湿法刻蚀进行金属场版刻蚀,通过细致调整腐蚀液的成分和配比,总结出一套效果优良的金属刻蚀方法,从而在工艺中进一步改良了金属场板的形貌,并提升了碳化硅肖特基二极管器件的成品率和可靠性。
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单位中国电子科技集团公司
