LTE MTC射频发射机中CMOS功率放大器设计

作者：肖宁; 朱祥飞; 冯景; 樊祥宁

来源：电子器件, 2020, 43(03): 595-600.

• LTE MTC
• 线性度
• CMOS
• 射频功率放大器

针对LTE MTC蜂窝物联网通信下的应用场景,本文给出了一种基于TSMC 65 nm CMOS LP工艺设计的AB类线性功率放大器。为达到一定的功率增益要求,采用两级级联结构,包括驱动级和功率级。两级电路均采用差分结构,可以在不提高电源电压的情况下,达到足够的输出功率和线性度,同时还有利于抑制共模噪声,减小寄生参数及键合线电感对电路性能的影响。为了避免晶体管被击穿,同时提高输入输出端口之间的隔离度,两级电路均采用共源共栅(Cascode)结构。后仿真结果表明,电源电压3.3V情况下,功率放大器在1 880 MHz～1 920 MHz频段工作稳定,输入反射系数S11<-10 dB,输入匹配良好,输出1 dB压缩点为24.1 dBm,饱和输出功率大于26 dBm,功率增益大于20 dB,输出1 dB压缩点出的功率附加效率25%,峰值效率达到30%。

• 单位
  东南大学