电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠神经功能及缺血半暗带区VEGF、CD31表达的影响

作者：谭佳佳; 唐丽亚; 孙晓莹; 易细芹; 瞿启睿; 艾坤^*; 周璐^*

来源：湖南中医药大学学报, 2023, 43(09): 1679-1684.

• 脑缺血再灌注
• 缺血半暗带
• 损伤
• 电针预处理
• 血管内皮生长因子
• 血小板-内皮细胞黏附分子
• 血管新生

目的 通过观察电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠神经功能、脑梗死体积及半暗带区脑组织血管内皮生长因子（vascular endothelial growth factor, VEGF）、血小板-内皮细胞黏附分子（platelet endothelial cell adhesion molecule-1, CD31）表达的影响，判断电针预处理对半暗带区血管新生的影响，探索电针预处理改善脑缺血再灌注损伤的可能作用机制。方法 将36只SD大鼠按照随机数字表法分为假手术组、模型组、电针预处理组，每组12只。电针预处理组予以电针百会、水沟、大椎，每天1次，共7次；假手术组、模型组仅捆绑，不予电针处理。实验第8天，参照Zea Longa方法对模型组、电针预处理组进行大脑动脉栓塞（medial cerebral artery occlusion, MCAO）造模后灌注，假手术组仅切开皮肤暴露颈动脉，不做手术。造模24 h后，对各组大鼠进行神经功能缺损评分（neurological severity scores, NSS）法评估神经功能，评分后取大鼠梗死侧脑半球行红四氮唑（2,3,5-Triphenyltetrazolium Chloride,TTC）染色检测脑梗死面积，取脑缺血半暗带区组织进行HE染色观察脑组织形态变化，免疫组织化学法测定VEGF、CD31表达。结果 假手术组未见梗死以及任何神经功能损伤，细胞形态正常；模型组半暗带区细胞损伤显著增加，排列紊乱，呈肿胀状，毛细血管管腔塌陷；电针预处理组损伤程度减轻，排列轻度紊乱，细胞肿胀不明显。与假手术组比较，模型组大鼠神经功能缺损评分明显升高（P<0.01），脑梗死面积明显增加（P<0.01），缺血半暗带区VEGF、CD31表达明显增加（P<0.01）；与模型组比较，电针预处理组大鼠神经功能缺损评分降低（P<0.05），脑梗死面积明显减少（P<0.01），缺血半暗带区VEGF、CD31表达明显增加（P<0.01）。结论 电针预处理可能通过促进缺血半暗带区血管新生，从而改善脑缺血再灌注损伤大鼠神经功能损伤、降低脑梗死体积。

• 单位
  郴州市第一人民医院; 湖南中医药大学