一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器

作者:张键; 胡辉勇*; 周远杰; 何峥嵘
来源:固体电子学研究与进展, 2023, 43(06): 527-532.
DOI:10.19623/j.cnki.rpsse.2023.06.009

摘要

基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。

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