摘要
采用E-T和脉冲电化学沉积法,利用氧化铝(AAO)模板制备出直径200 nm,长度约为13.1μm的非晶态FeNi纳米线阵列。FeNi纳米线阵列的形貌、成分、微观结构以及磁学性能分别通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、场发射透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)以及振动样品磁强计(VSM)进行表征。研究结果表明,FeNi纳米线排列致密,外壁平整光滑,粗细均匀,元素分布均匀。制备的纳米线表现出纯非晶结构,退火后从非晶基体中析出γ(Fe, Ni)相,且晶粒的生长具有明显的(111)择优取向。VSM结果表明在非晶纳米线中具有较强的磁各向异性,其易磁化轴为平行于长轴方向。随着退火温度的升高,矫顽力Hc和剩磁比Br/Bs整体呈下降趋势,主要归因于纳米线内应力的释放及纳米晶间的磁交换耦合作用。
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