基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法

作者：张苇杭; 付李煜; 张进成; 张金风; 刘茜; 赵胜雷; 黄韧; 郝跃

来源：2021-01-13, 中国, CN202110045034.2.

本发明涉及一种基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法,该二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、超晶格层、第二势垒层和GaN帽层,其中,沟道层和第一势垒层之间形成第一导电沟道,超晶格层与第二势垒层之间形成第二导电沟道；阳极,设置在GaN帽层上,且其底部依次穿过GaN帽层和第二势垒层,位于超晶格层内,阳极与超晶格层形成肖特基接触；阴极,设置在GaN帽层上,且围设在阳极的外周,阴极与阳极之间存在间距,阴极与GaN帽层形成欧姆接触。本发明的基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管,增加了导电沟道,进一步提高了电子浓度,减少导通电阻。

• 单位
  西安电子科技大学