高临界电流密度NbN约瑟夫森结的制备和特性表征

作者：唐鑫; 张栖瑜; 王会武^*; 王镇

来源：低温物理学报, 2019, 41(05): 368-371.

DOI：10.13380/j.ltpl.2019.05.007

• 约瑟夫森结
• NbN结
• 临界电流密度

我们开展了高临界电流密度的NbN约瑟夫森结的制备和特性研究.利用直流磁控溅射方法在单晶MgO(100)衬底上外延生长NbN/AlN/NbN三层膜,并使用微加工工艺制备了NbN约瑟夫森隧道结,在液氦温度下对NbN约瑟夫森结的电流-电压特性进行了测量,实验结果表明,NbN约瑟夫森结具有良好的隧穿特性,其临界电流密度Jc为10 kA/cm2,质量因子大于10,能隙是5.7 mV,这些实验结果为基于NbN结的超导数字电路研究奠定了坚实的基础.

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所