Er~(3+):Y_(0.5)Gd_(0.5)VO_4晶体生长和缺陷研究

作者：陈峰; 黄晓辉

来源：楚雄师范学院学报, 2008, (03): 32-34+38.

• Er3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体
• 高温提拉法
• 缺陷
• ICP光谱 Er3+:Y0.5Gd0.5VO4 single crystal
• ICP spectrum
• Czochralski method
• Defects

采用液相法合成了多晶材料,用高温提拉法(CZ法)生长出Er3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体。用ICP光谱法测定晶体中Er3+离子含量为1.25at%,分凝系数为1.06。采用热磷酸腐蚀晶片,在偏光显微镜下对晶体的(010)、(001)面上的缺陷进行了观察,可明显观察到位错线、生长层和包裹物。由此得出,Er3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体的主要缺陷是位错、生长层和包裹物等。

• 单位
  宁德师范高等专科学校