快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响

作者：闫晓密; 黄慧诗; 华斌; 张秀敏; 莫晓帆; 周东

来源：半导体技术, 2018, 42(10): 765-768.

• 快速热退火(RTA)
• ITO薄膜
• 电流扩展
• LED芯片
• 磁控溅射

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响。结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33Ω/和93.1%,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3%;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70Ω/和95.9%,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8%;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58Ω/和95.4%,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9%。

• 单位
  江苏新广联半导体有限公司; 南京大学