VDMOS栅源漏电的经验解析

作者：方绍明; 赵美英; 闻正锋

来源：电子技术, 2020, 49(03): 30-32.

• 集成电路制造
• 垂直双扩散MOS
• 栅源漏电
• 良率

针对VDMOS的栅源漏电(Igss)机理进行分析,对于平面型VDMOS、沟槽型VDMOS栅源漏电的各种原因进行分析,并列出各种芯片生产实例,提出相应工艺改善措施进行总结。

• 单位
  华为技术有限公司; 深圳方正微电子有限公司; 深圳市明微电子股份有限公司