基于ABM器件的SiC MOSFET建模研究

作者：王迪迪; 宁平凡^*; 刘婕; 张永刚

来源：电子元件与材料, 2021, 40(06): 584-590.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1855

• SiC MOSFET
• ABM器件
• 阈值电压
• 导通电阻
• 数据表

针对不同温度下SiC MOSFET模型精度不足的问题,提出一种基于模拟行为模型(ABM)器件建立SiC MOSFET模型的方法。分别对整体模型的沟道电流、导通电阻和栅漏电容部分进行改进,引入了阈值电压和跨导系数的温度调节函数,考虑了温度和栅源电压对导通电阻的影响,提出了无开关栅漏电容,建立了满足连续温度仿真的SiC MOSFET模型。仿真结果表明:基于ABM器件建立的模型能够准确地反映温度对阈值电压、跨导和导通电阻的影响,验证了所建模型的准确性。

• 单位
  天津工业大学; 自动化学院