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摘要
先将有机硅浆渣固废高温热解，再将其与过量石油焦制成球团，通过碳热还原法制备了SiC粉体。研究了热解温度(1 000、1 200、1 400和1 500℃)对有机硅浆渣固废的影响，在此基础上，研究了热处理温度(1 550、1 650、1 750和1 850℃)和保温时间(15、30、45、60和75 min)对制备SiC的影响。结果表明：在热解温度达到1 500℃时，可以实现有机硅浆渣固废较大程度的热解，产物主要是SiC和方石英，说明该原料可以采用冶金法制备SiC。过量配碳冶炼时，最佳热处理温度为1 750℃,所得SiC的含量最高，继续升高温度会使SiC晶粒尺寸增大。在1 750℃增加保温时间有助于反应的进行，保温时间为60 min时，SiC的含量最高，继续增加保温时间时，颗粒状的SiC聚集长大形成块状SiC。
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