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摘要
利用射频磁控溅射方法制备了一系列Sc2O3稳定ZrO2薄膜固体电解质。通过XRD和SEM表征了10 mol%Sc2O3掺杂ZrO2(10Sc SZ)薄膜的物相结构、晶粒大小以及表面与截面形貌。同时,研究了基板类型和基板温度对10Sc SZ薄膜电解质电导率的影响。结果表明:通过射频磁控溅射沉积以及退火处理,成功制得纳米晶粒尺度、室温下立方萤石相稳定的10Sc SZ薄膜。室温下在石英衬底上制备的10Sc SZ薄膜电解质的电导率高于在多晶氧化铝衬底上制备的10Sc SZ薄膜电解质电导率。随着沉积温度提高,10Sc SZ薄膜电解质电导率逐渐下降,这是由随着沉积温度升高而增大的10Sc SZ薄膜晶粒尺寸导致的。
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单位新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室; 清华大学
