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摘要
为了探讨NO和超氧阴离子对水稻种子根侧根生长的影响，以DR5-GUS标记IAA的转基因水稻为材料，种子催芽萌发后，用含有不同浓度的NO供体、NO合成酶抑制剂和清除剂溶液来培养萌发3 d的水稻幼苗，在培养的第3 d和第5 d分别测量初生根长度和初生根上侧根数量，并通过DAF-2DA对NO、GUS对IAA和NBT对超氧阴离子(O2·-)染色后，在显微镜下观察NO、IAA和O2·-在侧根的定位，分析与NO合成相关的基因表达。结果表明，NO和IAA主要分布在根中柱的维管束部分以及侧根起始形成处和侧根根尖，O2·-只极性分布在侧根起始部位和侧根根尖。当NO合成受到抑制或清除时，NO、IAA和O2·-在侧根的积累量明显减少，侧根数量及初生根长度也均显著下降。荧光定量PCR分析发现，外源的NO供体SNP处理均能显著诱导水稻OsNIA1和OsNIA2基因表达，而NO合成酶抑制剂处理则抑制OsNIA1和OsNIA2基因表达。基于我们的实验结果，NO作为一种重要的信号物质参与初生根和侧根的生长，并需IAA和O2·-极性积累于侧根的起始部位，从而达到促进侧根的形成，当NO合成受阻时初生根和侧根生长均受到抑制。
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