原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展

作者：卢红亮; 徐敏; 张剑云; 陈玮; 任杰; 张卫; 王季陶

来源：功能材料, 2005, 36(06): 809-812+816.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2005.06.002

• 原子层淀积(ALD)
• 金属氧化物薄膜
• 高k材料

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展。

• 单位
  复旦大学