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摘要
鉴于利用光催化剂实现燃煤烟气中单质汞(Hg0)的催化氧化脱除是实现燃煤烟气汞污染控制的有效手段，总结了前期研究的光催化燃煤烟气Hg0氧化技术．重点阐述了钛基、铋基、银基和金属硫化物半导体材料光催化氧化Hg0的性能与研究进展，探讨了Hg0在半导体材料上的催化氧化机理及不同改性手段提升光催化剂Hg0氧化活性的理论机制，并对光催化技术在烟气汞污染防治研究方面的应用情况进行了分析和展望．在此基础上提出了克服现阶段光催化氧化燃煤烟气汞技术瓶颈的有效方法，为进一步开发高效的燃煤烟气Hg0光催化氧化材料与技术提供参考．
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