高温溶液法生长SiC单晶的研究进展

作者：王国宾; 李辉; 盛达; 王文军; 陈小龙

来源：人工晶体学报, 2022, 51(01): 3-20.

DOI：10.3969/j.issn.1000-985X.2022.01.002

• 宽禁带半导体
• 碳化硅
• 高温溶液法
• 顶部籽晶溶液法
• 助熔剂
• 晶体生长

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力.高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提.受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题.高温溶液生长(high

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院物理研究所; 松山湖材料实验室