VEGF/VEGFR在脑缺血再灌注损伤中的神经保护作用

作者：何佳; 丁凤菲; 刘敏珍; 王伟

来源：神经损伤与功能重建, 2013, 8(03): 177-180.

• VEGF/VEGFR
• 缺血半暗带
• 脑内皮细胞

目的:研究VEGF/VEGFR在脑缺血再灌注损伤中的神经保护作用。方法:SD大鼠108只,随机分为假手术组、对照组与VEGFR抗体组,每组36只,制备大脑中动脉缺血再灌注损伤(MCAO)模型,假手术组不造成缺血。VEGFR抗体组在造模前20 min侧脑室注射VEGF抗体,假手术组、对照组侧脑室注射等量生理盐水。比较3组在造模后1、3、7 d Bederson评分、VEGFR及缺血半暗带VEGFR2的变化。结果:VEGFR抗体组的Bederson评分在第1、3天高于对照组(P<0.05),VEGFR的表达在第1、3天低于对照组(P<0.01),但较假手术组高;VEGFR抗体组VEGFR2表达在第1、3天低于对照组(P<0.01)。结论:脑缺血再灌注损伤时,VEGF活化刺激VEGFR表达上调,促进血管内皮细胞增殖,加速新生血管形成。

• 单位
  华中科技大学同济医学院附属同济医院; 神经内科