分析表明,不同于传统硅基电子器件依靠CMOS工艺对性能进行调控,未来极具潜力的碳基电子器件,以碳纳米管薄膜晶体管为例,其性能主要取决于碳纳米管薄膜的成膜质量,尤其是形成薄膜的碳纳米管的取向与排列。提出一种基于楔形基板的成膜方案,讨论溶液蒸发过程中碳纳米管的取向与排列,分析碳纳米管溶液表面的蒸发现象,对比楔形基板的控制参数。基于显微镜观测的碳纳米管薄膜图像表明,通过楔形基板配合溶液法制备定向排列的碳纳米管薄膜是可能的。
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