LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性

作者：王光伟; 屈新萍; 茹国平; 郑宏兴; 李炳宗

来源：微电子学, 2007, 37(02): 168-172.

DOI：10.3969/j.issn.1004-3365.2007.02.005

• 锗硅薄膜
• LPCVD
• 热扩散
• 热退火
• 固相结晶

采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。

• 单位
  复旦大学