高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展

作者：田书凤; 彭英才; 范志东; 张弘

来源：材料导报, 2007, (01): 22-26.

• 高介电常数
• HfO_2栅介质
• 等效SiO_2介电层厚度
• 电学特性 high dielectric constant
• HfO2 gate dielectric
• EOT
• electrical properties

随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等。

• 单位
  电子信息工程学院; 华北电力大学（保定）; 南京大学; 河北大学