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摘要
击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压的提高。设计的这款400V VDMOS的场限环终端结构,改善了结曲面效应,但表面电场较大,在此基础上,充分利用场板降低表面电场的作用,结合场限环构成场板-场限环终端结构,减少了场限环的数量,节省了16.67%的终端宽度,实现了440.6V的击穿电压。此外,没有增加额外的掩膜或工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现。
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单位中国电子科技集团公司
