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摘要
本发明公开了具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的上表面两侧设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层上表面设有源电极,漏极帽层上表面设有漏电极,N型沟道层底部且靠近源极帽层的一侧设有栅电极,在N型沟道层底部且位于部分栅电极的栅下和部分栅漏间形成轻掺杂区,轻掺杂区以栅电极漏侧的栅边缘的垂线为对称轴呈轴对称结构。本发明能够缓解栅边缘漏侧的电场集中效应,以优化栅边缘漏侧的电场和电流,从而抑制击穿；能够缓解热电子充电效应,以减少界面态的产生,抑制器件性能的衰退,从而提高器件的寿命。
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