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摘要
界面分层失效已成为同轴硅通孔(TSV)应用中重要的热可靠性问题之一。构建有限元分析模型对其热可靠性进行仿真，发现在TSV结构中铜屏蔽环/SiO2界面顶端附近出现明显的热应力集中，可能更易在该界面发生分层失效。为研究结构参数对铜/SiO2界面分层失效的影响，通过对中心铜导体半径、苯并环丁烯(BCB)厚度、铜屏蔽环厚度、SiO2厚度、硅衬底厚度、TSV高度进行变参分析，计算了该界面分层裂纹尖端能量释放率。结果表明：铜屏蔽环厚度对界面能量释放率影响最大，中心铜导体半径次之，SiO2厚度、硅衬底厚度和TSV高度的影响较小，因此减小铜屏蔽环厚度能够有效提高铜屏蔽环/SiO2界面可靠性。
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