SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法

作者：吴翼飞; 宋建军; 宣荣喜; 蒋道福; 胡辉勇; 张鹤鸣

来源：2016-06-28, 中国, ZL201610486996.0.

本发明涉及一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层,刻蚀工艺选择性刻蚀所述栅介质层和所述栅极层形成栅极；在栅极表面形成栅极保护层；刻蚀所述第二Ge层在所述NMOS栅极位置处形成Ge台阶；采用外延工艺在所述第二Ge层表面生长Si0.24Ge0.73C0.03层；去除所述栅极保护层,利用离子注入工艺形成NMOS源漏极,最终形成NMOS器件。本发明将直接带隙Ge材料作为NMOS器件的沟道可以提升NMOS器件沟道载流子迁移率,提升电流驱动能力,使NMOS器件具有工作速度高、频率特性好的优点。同时,本发明所提出的直接带隙Ge沟道NMOS还具有单片光电集成的优势。

• 单位
  西安电子科技大学