碳化硅表面镀镍速率研究

作者:李培仪; 王瑞; 雷程*; 梁庭; 白贵文; 党伟刚; 罗后明
来源:电镀与精饰, 2023, 45(12): 71-77.

摘要

针对碳化硅基底深刻蚀过程中镍掩模的厚度会影响刻蚀效果,为解决电镀镍时电镀速率不同从而导致厚度无法保证的问题。采用COMSOL Multiphysics软件对阴极镀层厚度进行模拟的方法,研究了不同电导率对电镀速率的影响。通过对比相同条件下实际电镀速率来验证仿真的可靠性。结果表明:在50℃下,当电导率为15 S/m时,阴极镀层速率为408.3 nm/min;在相同条件下进行实验,测得实际电镀速率为425.5 nm/min,验证了仿真模型的可靠性,为电镀镍工艺优化以及SiC硬掩模刻蚀提供了仿真依据。