三维封装微系统TSV转接板技术研究

作者：冉红雷; 彭浩; 黄杰; 盛晓杰

来源：电子产品可靠性与环境试验, 2019, 37(06): 38-43.

• 硅通孔
• 串扰耦合
• 电磁仿真
• 传输特性

首先,对基于TSV技术的某微系统中的TSV转接板进行了研究,建立了普通TSV转接板的电磁模型并进行了仿真分析;其次,设计了改进的双金属屏蔽结构TSV转接板,通过仿真分析发现,双金属屏蔽结构TSV转接板的电学性能显著地提升;最后,以双金属屏蔽结构TSV转接板为基础,研究了TSV转接板传输性能的影响因素。结果表明,当f≤20 GHz时,金属屏蔽层的厚度对双金属屏蔽结构TSV转接板的传输性能影响较小,金属屏蔽层与硅衬底之间的绝缘层厚度对TSV转接板的传输性能影响较小;当10 GHz≤f≤20 GHz时,金属屏蔽层与RDL布线层之间的厚度与TSV转接板的传输损耗参数成反比。该研究对提高TSV结构的设计可靠性有参考作用。